Una DRAM capace di archiviare dati come gli SSD

Per la prima volta, la realizzazione della memoria universale Ultraram su un wafer di silicio è stata compiuta da studiosi inglesi.

La tecnologia Ultraram, che combina caratteristiche della memoria DRam e della memoria Flash, non è una novità assoluta ma ha un funzionamento molto complesso. Se per la realizzazione delle memorie vengono infatti impiegati wafer di arseniuro di gallio, molto costoso, in futuro si potrà avere una più facile commercializzazione delle memorie, tramite l’impiego del silicio, disponibile in natura, che potranno anche raggiungere un tempo di 1.000 anni di archiviazione e una resistenza per circa 10 milioni di cicli di programmazione/cancellazione.

Nella singola cella di memoria Ultraram su wafer di silicio prodotta dagli scienziati per il test di laboratorio, inoltre, la tensione di programmazione/cancellazione si è tradotta in un’energia di commutazione, per unità di superficie, 100 e 1000 volte più bassa di DRAM e Flash.

Leggi l’articolo completo su DDay